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CVD 钻石电阻器

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CVD-钻石电阻器
  • 频程DC-30 Ghz 
  • 大功率,小尺寸
  • 峰值功率承载能力佳
  • 质量轻
  • 功率处理能力高达125 W
  • CVD 钻石基板
  • 提供调谐版本
  • 可锡焊&金丝键合
  • 集成散热器
  • 可提供带引线封装
  • 可表面焊接安装
  • 可卷袋包装
  • 可提供高可靠性版本

Smiths Interconnect|EMC独家出品的CVD 钻石电阻器系列是极小封装尺寸与极高额定功率的奇妙组合。这些电阻器可用于DC-30 GHz的应用,非常适用于需要大功率能力、频率响应范围宽、体积小质量轻的应用。钻石芯片电阻器使用全薄膜结构制造而成,其镀金的焊盘即可满足金丝键合的要求,也可以采用表面焊接安装。这一全薄膜结构也使这款产品具有良好的峰值功率承载能力。后缀为W2的产品,非常适合于大批量的表面焊接安装。后缀带“T”的产品含有镀金层的引线,易于安装。后缀带“FT”的产品,含有引线和集成式散热器,易于安装。可用标准值为50和100欧姆。如需了解非标电阻值,请直接联系本公司。

由于具有全薄膜结构,这款产品具有良好的峰值功率承载能力。可供应标准芯片和通过Mil-PRF-55342测试的高可靠性版本。可选用卷带或层叠式包装。这些产品不含铅,符合RoHS要求,且经过S级审核。

  CVD 钻石电阻器
  CR0402D CR0402D-W2 CR0505D CR0505D-W2
包装样式 表面焊接/金丝键合 表面焊接安装 表面焊接/金丝键合 表面焊接安装
操作频率 DC - 30.0 GHz DC - 18.0 GHz DC - 18.0 GHz DC - 18.0 GHz
电阻 50及100欧姆
典型电容 0.09 pF 0.1 pF 0.10 pF 0.30 pF
功率处理 20 W 1.5 W 50 W 2.25 W
操作温度 -55ºC to 150ºC -55ºC to 125ºC
尺寸 1.14 mm x 0.63 mm 1.40 mm x 1.40 mm
基材 CVD Diamond
电阻材料 薄膜(氮化钽)
焊接涂层材料 金 / 镍
规格书 1011115 1013115 1010775 1013125

  CR0603D CR0603D-W2 CR1010D CR0505D-TB
包装样式 表面焊接/金丝键合 表面焊接安装 表面焊接/金丝键合 引线式
操作频率 DC - 18.0 GHz DC - 18.0 GHz DC - 12.4 GHz DC - 18.0 GHz
电阻 15至300欧姆 50至280欧姆 50及100欧姆
典型电容 0.19 pF 0.20 pF 0.80 pF 0.10 pF
功率处理 80 W 2 W 125 W 50 W
操作温度 -55ºC to 125ºC -55ºC to 150ºC -55ºC to 125ºC
尺寸 1.65 mm x 0.89 mm 2.67 mm x 2.67 mm 1.40 mm x 1.40 mm
基材 CVD Diamond
电阻材料 薄膜(氮化钽)
焊接涂层材料 金 / 镍
规格书 1011545 1013145 1010785 1013135
  • 雷达
  • 广播
  • 大功率滤波器
  • 大功率放大器
  • 仪表
  • 隔离器
  • 卫星通信